三星计划在SAINT品牌下推出三种技术：SAINT S，垂直堆叠SRAM内存芯片和CPU；SAINT D，涉及CPU、GPU等处理器和DRAM内存的垂直封装。
封装是半导体制造的最后步骤之一，它将芯片放置在保护壳中以防止腐蚀，并提供一个接口来组合和连接已制造的芯片。
封装技术可以增强半导体性能，而无需通过超精细加工缩小纳米，这在技术上具有挑战性，并且需要更多时间。
SAINT技术（三星先进互连技术）通过以紧凑的形式集成内存和处理器，有望显着提升AI芯片的性能。这在数据中心和移动设备中尤其重要，其中高效的数据处理和节省空间的设计是关键。
垂直堆叠方法减少了延迟并提高了速度，这对于需要快速数据处理的人工智能和机器学习任务至关重要。
从 2.5D 封装到 3D 封装的转变代表着半导体制造的重大飞跃。2.5D 水平封装芯片，而 3D 技术则垂直堆叠芯片，从而实现更高的集成度和效率。
这一转变解决了当前半导体设计的限制，特别是在空间限制和性能瓶颈方面。这是一项战略举措，旨在满足高性能计算和人工智能不断变化的需求。
台积电、三星和英特尔等领先芯片制造商正在激烈竞争先进封装，这种封装集成了不同的半导体或垂直互连多个芯片。先进的封装允许将多个设备合并并封装为单个电子设备。
3D 堆叠将提高性能，但也会带来新的限制。请参阅 AMD 3D Vcache cpu。额外的 L3 缓存层堆叠在 CPU 核心芯片上方，由于热阻增加，这严重限制了从 CPU 核心到散热器的热量传递。
堆叠热芯片会产生热量问题。光可以拯救：IBM展示了一种内部使用光学总线的芯片（并将其引出到交叉插座和跨计算机网络的引脚），但它还没有准备好大规模生产 。
额外的缓存可以提高游戏性能，但时钟的值比没有 3D 缓存的 cpu 的值要低，因此在无法从更大的缓存中受益的应用程序中，这些 cpu 的性能会更差。