华为的麒麟 9000S 芯片系统为华为新款 Mate 60 Pro 智能手机提供动力，据报道该芯片采用中国中芯国际制造的第二代7纳米级制造工艺。
华为一直在囤积其海思半导体部门的芯片。台积电早在 2017 年就开始生产 7 纳米芯片。
使用旧工艺的 DUV 机器而不是 EUV 机器，成本会更高。成本可能要高出 30-50%。然而，中国能够制造出这些 7 纳米芯片，是一项巨大的创造性成就。
如果不是在大约 8 年前成功制造出 EUV（极紫外）设备，全球半导体行业也会不得不这样做。
中国将在 2 年内制造出 5 纳米芯片。
但是，要推动 DUV（深紫外光刻）机器达到 3 纳米或更低的水平，难度太大。
华为和中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）拒绝提供详细信息。根据对该智能手机进行的测试，中国基准测试网站安兔兔确定 Mate 60 Pro 的中央处理器（CPU）为华为芯片设计部门海思半导体的麒麟 9000s。
研究公司 TechInsights（总部位于加利福尼亚州）在其微信账号上发布的一份说明中说，中芯国际利用现有设备，采用第二代 7 纳米工艺（即 N+2 节点），为华为制造了支持 5G 的麒麟 9000。
另一种可能是，华为通过招募现有代工厂帮助其规避美国出口管制，从而建立了一条秘密的芯片制造供应链。在这种情况下，Mate 60 内的芯片展示了华为是如何实现突破的。
第三种可能是，这是以制裁加强之前的库存芯片为基础的。
中国很可能使用 ASML 的深紫外沉浸式设备而不是 EUV（极紫外设备）制造了这些芯片。DUV 设备使用 193 纳米光，而 EUV 使用 13.5 纳米光。全球半导体行业使用 DUV 设备制造 14 纳米工艺芯片。
中国的 7 纳米芯片与高通公司用 4 纳米工艺制造的芯片性能相当。如果中国能与 4 纳米到 7 纳米工艺的电脑芯片相媲美，这将是一个巨大的数字。这意味着技术差距只有几年。