铠侠与英伟达共推AI SSD，构建“HBM+AI SSD”分层内存架构。创意电子凭借先进封装与高速接口整合能力，有望拿下主控芯片大单，开启AI存储新纪元。
一、AI内存瓶颈催生存储革命，HBM已无法独自支撑万亿参数时代
在生成式人工智能狂飙突进的今天，GPU的算力早已不是唯一瓶颈，真正的卡点正从计算转向内存与存储。当前主流AI加速器如英伟达Blackwell架构的GB200，虽搭载高达192GB的HBM3E高带宽内存，总带宽逼近1.2TB/s，看似强大，却在面对千亿乃至万亿参数大模型时仍显捉襟见肘。
HBM之所以被称为“近端内存”，是因为它通过TSV硅通孔技术垂直堆叠多层DRAM芯片，每层之间通过数千条通道互联，实现纳秒级延迟与超大带宽，是GPU进行矩阵运算的“第一战场”。
但HBM的先天局限同样明显：
一是成本极其高昂，单颗HBM3E模组价格可超2000美元；
二是容量扩展空间有限，即便采用HBM4，单堆叠也难以突破256GB；
三是封装复杂，对热管理、信号完整性及良率控制要求严苛，难以大规模部署于普通AI服务器。
更关键的是，大模型推理过程中所需的海量历史上下文、知识库嵌入（embeddings）及KV缓存，远超HBM容量边界，必须依赖外部存储频繁换入换出。
传统SSD在这一场景中表现糟糕——其随机读写IOPS通常仅百万级，延迟高达微秒甚至毫秒，完全无法匹配GPU的高速计算节奏。
由此，业界开始思考：能否构建一种介于HBM与传统SSD之间的“扩展性存储层”，既保留NAND闪存的大容量与低成本优势，又具备接近内存级的访问性能？
答案正是“AI SSD”——一场由铠侠（Kioxia Holdings）与英伟达（NVIDIA）共同推动的存储架构革命。
二、铠侠AI SSD：不是普通固态盘，而是GPU的“冷数据延伸臂”
铠侠此次推出的AI SSD，并非对现有企业级SSD的简单升级，而是一套从底层架构到系统集成全面重构的产品。其核心目标，是在GPU外部构建一个微秒级延迟、亿级IOPS、5TB以上容量的高性能存储层，与HBM形成“热-冷”协同的分层内存体系。
具体而言，该AI SSD采用High-Bandwidth Flash（HBF）或XL-Flash架构，单模块带宽可达64GB/s，远超当前PCIe 5.0 SSD的15GB/s上限。更重要的是，它支持PCIe 7.0直连GPU，无需经过CPU中转，彻底消除传统I/O路径中的协议转换与延迟叠加。每个闪存模组配备独立控制器，并通过PAM4（四电平脉冲幅度调制）高速链路串接，实现低延迟、高并发的随机访问能力。
据内部测试数据，两颗此类AI SSD并联运行时，可实现两亿IOPS的随机读取性能，较现有高端SSD提升近百倍。这意味着，在RAG（检索增强生成）或长上下文推理场景中，GPU可直接从AI SSD中实时拉取数百万条知识片段或历史对话记录，无需等待CPU调度，大幅缩短端到端延迟。
英伟达将这一角色定义为“HBM扩展器”（HBM-expander），即通过AI SSD实现内存虚拟化——HBM负责处理当前活跃的“热数据”（如模型权重、即时注意力计算），而AI SSD则作为“冷数据层”，存储模型权重分片、嵌入向量表、历史KV缓存等，按需被GPU直接调用。这种架构不仅缓解了HBM容量压力，更显著降低了AI服务器的总拥有成本（TCO）。
三、2027年商用倒计时，NAND产业迎来十年一遇的AI拐点
铠侠将此项目视为NAND闪存产业自智能手机普及以来的最大转折点。过去十年，NAND市场主要受消费电子与数据中心驱动，增长平稳但竞争激烈，价格波动剧烈。而AI SSD的出现，首次将NAND纳入GPU内存层级体系，赋予其“准内存”属性，打开了全新的高端应用场景。
公司预计，到2029年，全球约34%的NAND需求将来自AI相关应用，市场规模增量高达290亿美元。更令人警惕的是，若AI服务器部署速度超预期，2026年底至2027年初可能出现新一轮NAND供应吃紧，推动价格结构性上涨。
AI SSD的商业化路径清晰：2026年下半年提供工程样品，2027年正式量产并导入美系四大云服务商（CSP）的数据中心，首批目标平台即为英伟达Rubin与MGX架构的AI服务器。这些服务器将采用模块化设计，支持GPU与AI SSD在主板或封装内紧密耦合，实现最优信号完整性与热效率。
四、主控芯片成胜负手，创意电子凭什么被外资押宝？
AI SSD的性能不仅依赖闪存介质，更取决于其控制器ASIC的设计水平。传统SSD控制器只需处理块设备读写与FTL映射，而AI SSD控制器则需同时集成PCIe 7.0、CXL 3.1、UCIe甚至NVLink等多协议接口，内置AI预取引擎、低延迟链路训练模块、多核调度架构，并支持与GPU缓存层次结构的深度协同。
全球具备此类设计能力的厂商屈指可数，包括Marvell（美满电子）、慧荣科技（Silicon Motion）、三星、西部数据（Western Digital）、博通（Broadcom）及世芯-KY（Alchip）等。然而，外资机构却一致将目光投向了“创意电子”（Global Unichip Corp, GUC）——这家台积电控股的ASIC设计服务龙头。
创意电子胜出的关键，在于其独一无二的“四维整合能力”：
其一，高速接口IP实力雄厚。创意已于2024年完成HBM3E控制器与PHY物理层IP开发，支持台积电CoWoS-S/R先进封装，实测速率达9.2Gbps/pin，满足HBM4过渡需求。其UCLink平台可无缝整合PCIe、UCIe、SerDes与HBM PHY，为多协议SoC提供统一设计框架。
其二，深度绑定英伟达生态。2025年10月，创意正式成为英伟达“NVLink Fusion”关键生态伙伴，可直接参与面向CSP与HPC客户的半定制ASIC开发。这意味着创意能提前获取NVLink、C2C等内部协议规范，并在GPU封装中实现peer-to-peer直连架构——这正是AI SSD实现GPU直连的核心技术前提。
其三，先进封装协同设计能力。作为台积电子公司，创意可直接调用CoWoS、InFO、LIPINCON等高频封装技术，在芯片设计阶段即与封装团队协同优化interposer布线、电源完整性及热分布。对于采用chiplet或CSP（芯片尺寸封装）的AI SSD而言，这种“控制器＋封装共设计”模式可大幅缩短验证周期，降低信号衰减风险。
其四，云服务商项目实绩背书。创意已在多个美系CSP的AI加速器ASIC项目中成功流片（Tape out），熟悉OCP（开放计算项目）数据中心规格，能精准匹配Rubin与MGX平台的供电、散热与接口要求。相比之下，传统SSD控制器厂商虽有存储经验，却缺乏与GPU系统深度耦合的工程能力。
五、若拿下大单，创意将新增百亿营收，AI ASIC三足鼎立格局成型
市场推估，铠侠AI SSD主控芯片项目总合约价值约1.8亿美元，开发周期两年，量产后可持续贡献三至五年。以创意电子约12%的净利率计算，该项目在其生命周期内可贡献累计每股收益（EPS）2.5至3元新台币。
更重要的是，这将成为创意电子AI ASIC产品线的“第三增长支柱”——继GPU加速芯片（如与客户合作的AI训练芯片）和CSP定制AI芯片之后，AI存储控制器将成为其面向数据中心市场的又一核心引擎。
考虑到AI服务器对存储带宽需求正以每年50%以上速度增长，而HBM无法独自承担全部负载，AI SSD将成为未来五年数据中心基础设施的标配。创意若能借此卡位成功，不仅巩固其在高端ASIC设计领域的领导地位，更将深度绑定英伟达与铠侠两大产业巨头，形成难以复制的护城河。
六、技术之外：Goodhart定律警示——别让指标扭曲架构本质
值得注意的是，当前AI SSD的性能指标（如IOPS、带宽）虽令人振奋，但需警惕Goodhart定律的风险：当某一指标成为目标，它就不再是好指标。若厂商仅追求“亿级IOPS”而忽视实际工作负载中的访问模式（如稀疏性、局部性、预取命中率），可能导致架构过度优化于基准测试，却在真实RAG或长文本推理中表现平庸。
真正的高效AI存储，需在控制器中嵌入智能预取、KV缓存感知调度、低精度状态压缩等机制，并与上层AI框架（如vLLM、TensorRT-LLM）深度协同。这也正是创意等具备系统级设计能力厂商的优势所在——他们不仅设计芯片，更理解AI工作负载的本质。
七、结语：从“存储”到“内存延伸”，NAND的AI身份正在重定义
过去，NAND闪存被视为“慢速持久化设备”；未来，它将成为GPU内存体系的自然延伸。铠侠与英伟达的合作，标志着存储与计算的边界正在消融。而创意电子凭借其在高速接口、先进封装、生态协同与系统集成上的综合优势，极有可能成为这场变革的幕后推手。
对投资者而言，这不仅是单一订单的利好，更是NAND产业链价值重估的起点。当一块SSD能直接与GPU对话，当闪存开始承担内存职责，整个数据中心的性能瓶颈将被重新定义——而这，正是AI时代最激动人心的基础设施革命。