长江存储凭借Xtacking 4.0实现267层3D NAND量产，逼近国际领先水平，并率先采用无楼梯字线结构为300+层铺路，A股相关概念北方华创大涨。
长江存储（YMTC）正式把它的第四代Xtacking技术推向量产，一口气干到了267层3D NAND闪存芯片！而且他们已经在设计超过300层的产品了。
这个数字是什么概念？
要知道全球领先的美光是276层，三星和铠侠、西部数据联合研发的是286层，也就是说，长江存储现在已经几乎追平国际顶尖水平，差距小到可以用毫米来衡量！
你可能不知道，这几年美国对中国的高科技产业实施了层层封锁，尤其是半导体制造设备这块，像ASML的高端光刻机根本买不到，很多关键材料也被卡脖子。可就是在这种极端困难的情况下，长江存储不仅没停下脚步，反而越跑越快。这次267层NAND的量产，不仅是层数上的突破，更是架构创新、工艺控制、良率管理等全方位能力的体现。这背后靠的不是运气，而是实打实的技术积累和自主研发。
说到核心技术，就不得不提Xtacking 4.0：这项技术最大的亮点就是“阵列与逻辑分离”设计。
简单来说，传统NAND是在同一块晶圆上同时做存储单元和外围电路；
但长江存储另辟蹊径：先把存储阵列单独做在一块晶圆上，再把已经布好电路的CMOS晶圆用先进的键合技术连在一起。
这样一来，两边可以独立优化，互不干扰，大大提升了性能和生产效率。
而Xtacking 4.0更进一步，采用了铜对铜直接键合技术，配合亚微米级精准对准。这种混合键合方式让信号传输路径更短，芯片厚度更薄，带宽更高，延迟更低。最关键的是，在堆叠层数越来越多的情况下，还能有效控制发热、提升可靠性，保证高良率。
要知道，当NAND闪存堆到两三百层时，任何一个微小误差都会导致整片报废，所以工艺稳定性极其重要。
目前这款267层NAND采用的是1Tb TLC颗粒，单颗容量达到1TB，已经进入大规模生产阶段。TechInsights这家全球权威半导体分析机构也确认了这一进展。
这意味着长江存储不再是“追赶者”，而是真正站在了全球第一梯队，和三星、SK海力士、美光、铠侠同台竞技。
更让人振奋的是，他们已经在为300层以上做准备了。随着堆叠高度逼近物理极限，传统的“楼梯式字线接触”结构越来越吃力——那种一层层像台阶一样的设计占用大量芯片面积，还容易出错。
于是长江存储果断引入“无楼梯字线接触”（Stairless WLC）结构，改成直通式布局，大幅节省空间、简化对位流程、降低缺陷率。这项技术从267层之后就开始应用，为后续突破300层打下坚实基础。
你以为这只是层数游戏吗？错！未来的竞争早已超越“谁堆得更高”。接下来比拼的是混合键合的精度、应力工程的控制、新材料的应用以及整体结构的创新。谁能更好地解决多层堆叠带来的热膨胀、电迁移、读写干扰等问题，谁就能掌握下一代NAND的话语权。
特别值得一提的是，尽管面临美国严格的出口管制，长江存储依然靠着独特的Xtacking路线实现了突围。他们在设备受限的情况下，通过架构创新绕开部分技术瓶颈，走出了一条差异化道路。这说明中国企业在逆境中也能实现技术跃迁，甚至在某些领域形成反超。
放眼整个存储行业，无论是HBM高带宽内存还是3D NAND，都在向混合键合转型。而长江存储早在几年前就布局Xtacking，并持续迭代至今，展现出极强的战略定力和技术执行力。他们的成功不是偶然，而是长期投入研发、坚持自主创新的结果。
对于中国半导体产业而言，长江存储的突破意义重大。它不仅打破了国外巨头的垄断格局，也为国产存储芯片赢得了宝贵的市场空间和发展时间。更重要的是，它证明了一个道理：即使被围堵，只要方向正确、脚踏实地，我们一样能造出世界级的产品。
未来几年，随着AI、大数据、云计算爆发式增长，对高性能存储的需求只会越来越大。谁能提供更高密度、更快速度、更低成本的解决方案，谁就能占据主动。而长江存储现在的目标很明确：不仅要站稳267层，还要冲过300层大关，继续挑战技术极限。
这场全球NAND闪存大战，已经不再只是层数的较量，而是体系化创新能力的全面比拼。
作者背景补充一下：本文信息综合自国际知名半导体分析机构TechInsights的拆解报告、产业链调研数据及公开专利文献。写作过程中参考了多位业内资深工程师的技术解读，确保内容专业准确。文章聚焦技术演进路径与中国企业的应对策略，力求呈现真实、深度的产业图景。