中国杀入HBM高端战场！华为联手长鑫存储、长江存储亮出“混合键合”杀手锏
作者高明勋，资深科技产业记者，长期深耕半导体、人工智能与全球科技竞争格局报道，以深入浅出的产业洞察和犀利的行业分析见长，多次独家披露中韩美在尖端芯片领域的战略动向，是《시사저널e》（时事周刊e）科技板块的核心撰稿人。
一场关于“高带宽内存”（HBM）的终极技术大战，正在韩国、美国与中国之间悄然打响。而这次，中国不再只是跟跑者——华为、长鑫存储、长江存储三大巨头联手，正式杀入HBM4E这一全球最尖端的存储芯片战场，目标直指20层堆叠的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术。
说到HBM，很多人可能一脸懵。简单讲，它就是AI芯片的“超级大脑内存”。像英伟达的H100、AMD的MI300这些顶级AI加速器，全都依赖HBM提供超高速数据吞吐能力。没有HBM，AI大模型训练速度直接掉档。而目前全球能稳定量产HBM3E的，只有韩国的SK海力士和三星，加上美国的美光，这三家几乎垄断了90%以上的高端市场。
但就在2024年，风向变了。中国不再满足于低端替代，而是直接瞄准下一代——HBM4E，也就是第七代高带宽内存。更关键的是，他们准备用“混合键合”技术来实现20层甚至24层的超高堆叠。这项技术有多牛？它能让芯片之间“无缝贴合”，不用传统焊线或凸点，直接把裸芯片面对面压在一起，中间连一微米的空隙都没有。结果就是：速度更快、功耗更低、体积更小——简直是AI芯片的梦中情“存”。
而这次中国出牌的组合，堪称“国家队豪华阵容”：华为负责AI芯片设计，已经官宣明年一季度将推出新一代“昇腾950PR”AI处理器，并搭载自研HBM产品“HiBL 1.0”；长鑫存储作为中国唯一具备DRAM量产能力的公司，刚刚完成HBM3工程样品开发，目标明年量产，2027年更要冲击HBM3E；而最关键的技术外援，正是长江存储——这家在3D NAND领域早已名震江湖的中国存储巨头。
你可能不知道，长江存储早在几年前就凭借“Xtacking”（晶栈）架构，在3D NAND闪存上实现了全球首个混合键合量产，比三星、SK海力士、美光都早！现在他们正把这套经验移植到HBM领域。据业内消息，长江存储甚至在武汉的新建产线中，正在规划专门用于DRAM生产的区域，未来很可能直接为长鑫提供混合键合技术支持。
为什么混合键合如此关键？因为HBM堆叠层数越高，芯片之间的连接就越难。传统“先进MR-MUF”工艺靠凸点和填充胶连接，堆到16层还能勉强应付，但到了20层，物理厚度、信号延迟、散热问题全爆发。这时候，只有混合键合才能把芯片间距压缩到极致，同时保持高良率和高性能。国际半导体标准组织JEDEC虽然把HBM4的封装厚度上限从720微米放宽到775微米，让SK海力士决定在16层产品上继续用旧工艺，但所有人都清楚：20层是道坎，跨不过去，就别想进HBM4E时代。
业内权威分析师、TechInsights副总裁崔正东直言：“20层之后，混合键合不是‘可选项’，而是‘必选项’。现在三星可能在16层就试水，SK海力士则选择观望，但到HBM4E，三家巨头都得上。”而中国，恰恰选择在这个技术拐点全力冲刺。
不过，挑战也不小。HBM对洁净度、平整度、热膨胀系数的要求，远高于3D NAND。混合键合过程中，哪怕一颗微尘、一丝翘曲，都会导致整颗芯片报废。长江存储虽有NAND经验，但DRAM的工艺窗口更窄，良率爬坡将是一场硬仗。这也是为什么华为、长鑫、长江三方必须深度绑定——华为提供应用场景和芯片定义，长鑫负责DRAM制造，长江输出混合键合know-how，形成闭环。
更深层看，这场HBM突围战，是中国半导体“自主可控”战略的关键一环。过去几年，美国对华芯片管制层层加码，HBM正是被重点封锁的品类之一。英伟达的H20芯片之所以性能打折，就是因为被禁用高端HBM。如果中国能自研自产HBM，不仅华为的昇腾AI芯片将彻底摆脱“卡脖子”，整个国产AI生态也将获得真正意义上的“心脏”。
目前，长鑫已规划2027年量产HBM3E，而华为的HiBL 1.0虽未公布具体参数，但明确用于昇腾950PR，意味着至少达到HBM3水平。更令人警惕的是，他们并不满足于此——三方合作的目标，是2026-2028年间实现HBM4E的混合键合量产，直接对标SK海力士和三星的下一代产品。
可以预见，未来3到5年，HBM战场将从“韩美双雄”演变为“三国杀”。韩国靠先发优势和成熟生态稳守阵地，美国凭借EDA工具和设备优势持续施压，而中国则以国家意志+垂直整合+技术跳跃的方式发起强攻。这场竞赛，不仅关乎企业利润，更决定谁能在AI时代掌握算力命脉。
别忘了，长江存储的Xtacking 4.0已推进至300层以上NAND量产，5.0版本更瞄准400层。这种在垂直堆叠上的深厚积累，正是HBM混合键合最需要的底层能力。当NAND的“堆叠大师”转身支援DRAM，这场技术迁徙的威力，绝不能小觑。
总之，中国半导体正在从“能做”迈向“敢做顶尖”。HBM4E混合键合之战，或许就是中国打破存储芯片垄断的破局点。全球科技格局，正在悄然重写。