一边是高带宽内存（HBM）需求如火山喷发，引爆DRAM产能军备竞赛；另一边，曾经风光无限的NAND闪存却门可罗雀，连巨头们都开始“战略性撤退”。而这场风暴的中心，正是韩国存储芯片双雄——SK海力士与三星电子！
先说重点：SK海力士刚刚放出重磅消息——到2025年下半年，其DRAM月产能将一口气冲上62万片晶圆！你没听错，62万片！要知道，就在2023年，它的月产能还只是30多万片的水平。短短三年时间，几乎翻了一倍！这背后，到底是谁在疯狂“下单”？答案只有一个：人工智能！
没错，就是AI！特别是英伟达（NVIDIA）和谷歌（Google）这些AI巨头，对HBM的需求简直到了“饥渴”的地步。HBM，全称High Bandwidth Memory，中文叫高带宽内存，它可不是普通内存条。它是把多个DRAM芯片像叠积木一样垂直堆叠起来，再通过硅通孔（TSV）技术高速互联，从而实现超高的数据传输带宽——这正是训练大模型、运行AI芯片所急需的“血液”。
但问题来了：制造HBM极其“吃”产能！一片HBM可能要用掉4片、8片甚至12片DRAM裸片（die）。随着HBM3E、HBM4堆叠层数越来越高，消耗的DRAM晶圆就越多。据业内消息，SK海力士今年已有整整30%的DRAM总产能被HBM“吃掉”，而到了2027年，这个比例可能飙升到40%！也就是说，将近一半的工厂都在为AI造“粮草”。
为了满足这波史无前例的需求，SK海力士已经火力全开。他们位于韩国清州的全新DRAM晶圆厂——M15X，将在2025年上半年正式投产！初期月产能1万片，别小看这个数字，它可是专为HBM核心芯片量身打造的先进产线。更狠的是，到2026年第四季度，M15X的月产能将一路爬升至5万片！而这5万片，绝大部分都会直接流向HBM生产线。
算上M15X的贡献，再加上现有产线的优化和扩产，SK海力士在2025年底的DRAM总产能将达到惊人的62万片/月。这个数字意味着什么？意味着它终于追平了长期霸占全球DRAM产能榜首的三星电子！要知道，三星目前的DRAM月产能也就在65万片左右的“中高位”水平。SK海力士这一波操作，堪称“逆袭”。
但三星也不是吃素的！面对HBM市场的巨大蛋糕，三星当然不会坐视不管。他们正在平泽的P4生产线疯狂下设备订单，全力扩充DRAM产能。更重要的是，三星已经在HBM4的研发上取得关键进展，并有望在明年成为英伟达的第二家HBM4供应商！这意味着，未来HBM市场将不再是SK海力士一家独大，而是进入“双雄争霸”时代。
有趣的是，这场DRAM的狂欢，却丝毫没有波及到另一个存储领域——NAND闪存。恰恰相反，SK海力士对NAND的态度可以用四个字形容：极度保守。
为什么？因为NAND市场现在“冷得像冰”。虽然企业级固态硬盘（eSSD）在数据中心需求带动下略有回暖，价格也小幅反弹，但手机、PC这些消费电子主力市场依然毫无起色。消费者换机周期拉长，厂商库存高企，谁还敢大举扩产？
更麻烦的是，日本铠侠（Kioxia）等竞争对手却在悄悄准备NAND产能扩张。一旦他们大规模释放产能，刚刚有点起色的价格可能瞬间崩盘。所以，SK海力士和其他芯片大厂现在对NAND投资极其谨慎——不是不投，而是只做“转换投资”，比如把老旧的NAND产线改成更先进的制程，而不是新建工厂。
有业内人士一针见血地指出：“现在DRAM的利润率远高于NAND，而且晶圆厂的无尘车间空间极其宝贵。既然DRAM这么赚钱，干嘛还要把黄金地段留给不赚钱的NAND？”更扎心的是，目前NAND厂商的产线利用率根本没拉满，很多工厂甚至只开七八成。当务之急是先把库存消化掉，而不是生产更多卖不出去的芯片。
所以你看，同样是存储芯片，DRAM和NAND的命运却天差地别。AI的崛起，彻底重塑了整个半导体产业的资源分配逻辑。谁抓住了HBM，谁就抓住了未来三年的利润引擎；谁还在盲目扩NAND，谁就可能被市场反噬。
而SK海力士，显然已经把全部赌注押在了AI这条赛道上。从产能布局到技术路线，从客户绑定到资本开支，每一步都精准踩在HBM爆发的节奏上。他们不仅提前卡位英伟达供应链，还深度绑定谷歌等云巨头，构建起强大的护城河。
但风险也显而易见。过度依赖HBM，意味着一旦AI投资热潮退潮，或者HBM技术路线发生重大变革（比如CPO、存算一体等新技术成熟），SK海力士将面临巨大的产能过剩风险。毕竟，HBM产线很难快速转产普通DRAM或NAND。
不过，至少在2025年之前，这波AI红利还会持续。英伟达的Blackwell芯片、谷歌的TPU v5、微软的Azure AI集群……每一个都是HBM的“吞金兽”。市场预计，2025年HBM市场规模将突破200亿美元，年复合增长率超过50%。在这样的背景下，SK海力士的激进扩产，与其说是冒险，不如说是一场精准的“顺势而为”。
反观三星，虽然起步稍晚，但凭借其全产业链优势和雄厚的资本实力，完全有能力后来居上。尤其是在HBM4标准即将落地的关键节点，谁能率先量产、谁的良率更高、谁的成本更低，谁就能拿下英伟达下一代GPU的大单。这场存储芯片的“AI军备竞赛”，才刚刚进入高潮。
最后再强调一遍：DRAM热火朝天，NAND寒风刺骨。这不是周期波动，而是技术革命带来的结构性转变。未来的存储市场，将不再是“量”的竞争，而是“质”与“专用性”的较量。HBM，就是这场变革的起点。
所以，如果你是投资者，请紧盯HBM供应链；如果你是工程师，请深耕先进封装与高速接口。